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分立半导体
C3M0065090J-TR参考图片

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C3M0065090J-TR

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
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库存:52,230(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥79.2243
79.2243
100
¥76.3767
7637.67
500
¥72.6138
36306.9
800
¥72.6138
58091.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
18 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
113 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
Power MOSFET
类型
Silicon Carbide MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
11.6 S
下降时间
5 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
6.5 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,C3M0065090J-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 150V 2A TMBS AEC-Q101 Qualified
1:¥3.2996
10:¥1.8871
100:¥1.01474
500:¥0.81473
4,500:¥0.47686
9,000:查看
参考库存:21678
分立半导体
MOSFET 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8478
1,000:¥5.6839
2,000:¥5.6839
参考库存:14134
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.4578
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:6592
分立半导体
SCR模块
1:¥1,894.5693
5:¥1,848.9964
10:¥1,803.1297
25:¥1,777.8516
参考库存:4698
分立半导体
肖特基二极管与整流器 TMBS 120V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified
1:¥4.0002
10:¥2.7233
100:¥1.8419
500:¥1.4803
3,500:¥1.01474
7,000:查看
参考库存:7002
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