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分立半导体
DMG6602SVTQ-7参考图片

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DMG6602SVTQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
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库存：133,185(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOT-26-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.4 A, 2.8 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms, 140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9 nC, 7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.27 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMG6602
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
4 S, 6 S
下降时间
3 ns, 13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns, 7.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 4.8 ns
商品其它信息
优势价格，DMG6602SVTQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD27B22P-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF 150W Pppm. Uni-Dir
1:¥3.5369
10:¥2.3843
100:¥1.6159
500:¥1.2882
3,000:¥0.89157
6,000:查看
参考库存:24415
SMAJ5931BE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
7,500:¥3.3335
22,500:¥3.1301
参考库存:24418
STD80N3LL
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET
5,000:¥1.9775
10,000:¥1.9097
25,000:¥1.8306
50,000:¥1.7967
参考库存:24421
UES1105E3
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥113.0339
250:¥103.0447
500:¥96.4342
1,000:¥88.4451
参考库存:24424
VS-MBR3045CT-1-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-262-e3
1,000:¥5.6613
参考库存:24427
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