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分立半导体
BSO615N G参考图片

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BSO615N G

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数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥6.2263
62.263
100
¥4.7912
479.12
500
¥4.2375
2118.75
2,500
¥2.9606
7401.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
SIPMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
BSO615
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.4 S
下降时间
15 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
BSO615NGHUMA1 BSO615NGXT SP000216316
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,BSO615N G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Standard Rectifier (trr more than 500ns)
1:¥114.7967
10:¥104.3442
25:¥96.5133
50:¥91.2814
参考库存:29007
分立半导体
分立半导体模块 1200V 1500A SINGLE
1:¥2,739.572
5:¥2,673.6478
10:¥2,607.2603
25:¥2,570.6822
参考库存:29010
分立半导体
整流器 Diode Gen Purpose 150V 6A Axial
1:¥248.6565
5:¥237.5147
10:¥230.0567
25:¥211.3891
参考库存:6972
分立半导体
桥式整流器 3 Phase Bridge
1:¥2,295.595
2:¥2,240.3493
5:¥2,207.5341
10:¥2,176.3348
参考库存:29015
分立半导体
桥式整流器 Single Phase Bridge
1:¥1,278.9227
2:¥1,248.1867
5:¥1,229.9033
10:¥1,212.5352
参考库存:29018
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