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分立半导体
BSC100N06LS3 G参考图片

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BSC100N06LS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:157,876(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥6.2376
62.376
100
¥4.7912
479.12
500
¥4.2375
2118.75
1,000
¥3.3448
3344.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
7.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
32 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
BSC100N06LS3GATMA1 BSC1N6LS3GXT SP000453664
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSC100N06LS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
5,000:¥4.3957
10,000:查看
参考库存:9719
分立半导体
MOSFET N-Ch RDS 0.33 Ohm Yfs 6.5s 10uA 600V
1:¥22.826
10:¥18.3625
100:¥16.6788
250:¥15.0629
2,500:¥10.8367
5,000:查看
参考库存:7200
分立半导体
MOSFET N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.5098
参考库存:5947
分立半导体
整流器 DFD RECTIFIER
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
参考库存:10721
分立半导体
MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.6784
500:¥7.6501
1,000:¥6.328
2,500:¥5.8986
参考库存:4739
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