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分立半导体
BSZ0902NSIATMA1参考图片

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BSZ0902NSIATMA1

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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.5427
65.427
100
¥5.0285
502.85
500
¥4.4409
2220.45
1,000
¥3.503
3503
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
3.9 ns
零件号别名
BSZ0902NSI BSZ92NSIXT SP000854388
商品其它信息
优势价格,BSZ0902NSIATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥8.6106
10:¥7.2885
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1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
参考库存:20291
分立半导体
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1:¥23.8995
10:¥19.8202
100:¥15.368
500:¥13.447
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1:¥5.2206
10:¥4.1019
100:¥3.1753
500:¥2.7346
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.5933
参考库存:8589
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 45V 30MA
1:¥3.616
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:10082
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