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分立半导体
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IPB020N10N5ATMA1

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数量单价合计
1
¥45.0305
45.0305
10
¥38.2618
382.618
100
¥33.1994
3319.94
250
¥31.4253
7856.325
1,000
¥23.8204
23820.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
210 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
124 S
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
33 ns
零件号别名
IPB020N10N5 SP001132558
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB020N10N5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD50N04S3-09
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
1:¥7.1416
10:¥6.0681
100:¥4.6556
500:¥4.1132
2,500:¥2.8815
10,000:查看
参考库存:7943
FS25R12YT3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A
20:¥437.6038
40:¥423.5466
60:¥423.4675
100:¥392.4264
参考库存:36091
GBU607
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 6A 1000V
1,000:¥3.277
2,000:¥2.9719
参考库存:36094
1SS405(TPH3,F)
Toshiba
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Vr=20V Io=0.05A 2Pin
暂无价格
参考库存:36097
IKD10N60RAATMA2
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
2,500:¥6.8591
5,000:¥6.6105
10,000:¥6.3506
参考库存:36100
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