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分立半导体
STP7NK80Z参考图片

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STP7NK80Z

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
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数量单价合计
1
¥19.0518
19.0518
10
¥16.1364
161.364
100
¥12.9046
1290.46
500
¥11.3678
5683.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
5.2 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP7NK80Z
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
1.400 g
商品其它信息
优势价格，STP7NK80Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SBRT4U60LP-7
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 4A Trench SBR 4A 60V 20 IFSM 180pF
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:7120
PSMN9R5-100PS,127
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
参考库存:4752
STN3NF06L
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 60 Volt 4 AMP
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
4,000:¥1.7628
参考库存:23262
2N6395G
Littelfuse
分立半导体
SCR THY 12A 100V SCR
1:¥9.605
10:¥7.6049
100:¥5.8986
500:¥5.2093
1,000:¥4.1132
参考库存:5850
1N5366B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 5.0W 39V 0.5uA 122mA 3.1A
1:¥4.3053
10:¥2.7911
100:¥1.8871
500:¥1.5594
4,000:¥1.04525
8,000:查看
参考库存:14385
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