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分立半导体
DMN3150LW-7参考图片

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DMN3150LW-7

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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.8702
28.702
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1639
1163.9
3,000
¥1.00683
3020.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
28 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
88 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
620 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.15 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN31
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
5.4 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3150LW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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2,000:¥1.8419
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3,000:¥2.3956
参考库存:10490
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1:¥8.6106
10:¥7.3337
100:¥5.6387
500:¥4.9833
1,500:¥3.4917
9,000:查看
参考库存:5438
分立半导体
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1:¥3.9211
10:¥2.6894
100:¥1.8193
500:¥1.4577
1,500:¥1.00683
4,500:查看
参考库存:35140
分立半导体
整流器 10 Amp 150 Volt 20ns Dual 55 Amp IFSM
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
参考库存:35143
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