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分立半导体

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BSM100GP60

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数量单价合计
1
¥1,458.9656
1458.9656
5
¥1,423.8452
7119.226
10
¥1,388.4988
13884.988
25
¥1,369.0628
34226.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
135 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
EconoPIM3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GP60BOSA1 SP000100384
商品其它信息
优势价格,BSM100GP60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥588.8995
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6,000:¥0.40002
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.3616
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1:¥19.0518
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
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2,400:¥1.7176
6,000:¥1.3786
12,000:¥0.95259
参考库存:28235
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