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分立半导体
NVMFS5C670NLAFT1G参考图片

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NVMFS5C670NLAFT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET TRENCH 6 60V NFET
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库存：5,325(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
1,500
¥2.3843
3576.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
71 A
Rds On-漏源导通电阻
5.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
61 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
NVMFS5C670NL
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格，NVMFS5C670NLAFT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BAS16L,315
Nexperia
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7
1:¥2.9945
10:¥1.9323
100:¥0.82942
1,000:¥0.63732
10,000:¥0.43053
20,000:查看
参考库存:49679
2SA1941-O(Q)
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W
1:¥13.1419
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2207
参考库存:3293
FDD5614P
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 60V P-Ch PowerTrench
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:22017
MPQ3904
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥33.9678
10:¥30.2727
100:¥27.5833
250:¥24.8939
参考库存:1711
2N2243A
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN AMPL/SWITCH Small Signal
1:¥43.6406
10:¥43.2564
25:¥39.4144
100:¥35.5724
参考库存:1395
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