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分立半导体
TSM80N400CF C0G参考图片

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TSM80N400CF C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 800V, 12A N-Channel Power MOSFET
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库存：6,317(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥27.8884
278.884
25
¥25.0521
626.3025
100
¥22.826
2282.6
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220S-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
1.700 g
商品其它信息
优势价格，TSM80N400CF C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4762A-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 82 Volt 1.3 Watt Glass T/R
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.72998
500:¥0.62263
5,000:¥0.32318
10,000:查看
参考库存:23425
RN2506(TE85L,F)
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:9249
BZX384-B12,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 300MW 12V
1:¥2.2261
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.35369
参考库存:14594
BC846B,235
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-13
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:14095
TT251N16KOF-A
Infineon Technologies
分立半导体
SCR PCT 1600V 250A
1:¥1,421.314
5:¥1,387.1202
10:¥1,352.6891
25:¥1,333.7164
参考库存:3658
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