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分立半导体
SQD100N03-3M2L_GE3参考图片

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SQD100N03-3M2L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET
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库存:40,552(价格仅供参考)
数量单价合计
2,000
¥5.1867
10373.4
4,000
¥4.9946
19978.4
10,000
¥4.8025
48025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
116 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
122 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SQD100N03-3M2L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V 30A SMPD(TO-263AC)
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.9891
500:¥6.9947
1,000:¥5.7969
2,000:¥5.7969
参考库存:5608
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Vr; 0.2A IO SOD-523; EMD2
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
2,500:¥0.35369
8,000:¥0.30736
参考库存:14227
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650V 20A SIC SBD
1:¥47.0306
10:¥42.488
25:¥40.4992
100:¥35.1882
参考库存:3931
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Vr; 0.03A IO SOD-323FL; UMD2
1:¥3.1527
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:11683
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-416FL 4.7kO Input Resist
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:12508
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