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分立半导体
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2N6308

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 350Vceo 700Vcbo 8Vebo 8A 4A 125W
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数量单价合计
1
¥86.2868
86.2868
10
¥85.5184
855.184
25
¥77.9135
1947.8375
100
¥70.3086
7030.86
250
¥64.6247
16156.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3-2
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8 V
集电极—射极饱和电压
5 V
增益带宽产品fT
5 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N6308
直流电流增益 hFE 最大值
60 at 3 A, 5 V
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
3 at 8 A, 5 V
Pd-功率耗散
125 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
零件号别名
2N6308 PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N6308的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.458
1,000:¥6.1698
参考库存:4773
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
4,000:¥1.01474
参考库存:8425
分立半导体
MOSFET MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8704
1,000:¥5.4127
参考库存:2875
分立半导体
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.5032
500:¥6.4523
1,000:¥5.0963
3,000:¥5.0963
参考库存:8152
分立半导体
MOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8873
250:¥5.8873
500:¥5.198
参考库存:2590
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