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分立半导体

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APT100GT120JU3

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:1,224(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥388.8895
388.8895
5
¥375.8267
1879.1335
10
¥363.6114
3636.114
25
¥336.2541
8406.3525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Carbide Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT100GT120JU3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40 / 60V 200mW
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:16480
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
1:¥50.2511
10:¥45.4147
25:¥43.2564
100:¥37.5725
参考库存:1849
分立半导体
稳压二极管 5W 36V
1:¥6.6896
10:¥5.1528
100:¥4.4861
250:¥3.9098
3,000:¥2.3391
6,000:查看
参考库存:2937
分立半导体
MOSFET PFET SOT23 20V .160R
1:¥2.8476
10:¥1.9775
100:¥0.91417
1,000:¥0.69947
10,000:¥0.54579
20,000:查看
参考库存:16673
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 50W PNP
1:¥9.0626
10:¥7.6049
100:¥5.8986
500:¥5.2093
参考库存:2582
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