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分立半导体

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APT100GT120JU3

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:1,224(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥388.8895
388.8895
5
¥375.8267
1879.1335
10
¥363.6114
3636.114
25
¥336.2541
8406.3525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Carbide Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT100GT120JU3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 VR=600V, IO=5A
1:¥3.9211
10:¥2.8928
100:¥1.9662
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1639
参考库存:32490
分立半导体
稳压二极管 7.5 Volt 150mW 10%
1:¥2.5312
10:¥2.3052
100:¥1.3108
1,000:¥0.47686
4,000:¥0.42262
8,000:查看
参考库存:32493
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,40V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.4578
10:¥2.4634
100:¥1.6159
500:¥0.9605
1,800:¥0.64523
9,000:查看
参考库存:32496
分立半导体
整流器 Diode, 1A, 600V DO-204AL (DO-41)
1:¥2.3843
10:¥2.147
100:¥1.2204
1,000:¥0.44522
5,000:¥0.39211
参考库存:32499
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 150mW 10%
1:¥2.5312
10:¥2.3052
100:¥1.3108
1,000:¥0.47686
4,000:¥0.42262
8,000:查看
参考库存:32502
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