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分立半导体
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IRGB4061DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
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库存：6,164(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.2726
28.2726
10
¥23.9786
239.786
100
¥20.8259
2082.59
250
¥19.7524
4938.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
36 A
Pd-功率耗散
206 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
36 A
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001536144
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRGB4061DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMBJ5351A/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥8.8366
6,000:¥8.2942
9,000:¥7.91
参考库存:51016
TSP15H200S
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode, Low VF Trench Schottky, 15A, 200V
1:¥6.2263
10:¥5.3788
25:¥4.9381
100:¥4.294
1,500:¥2.2487
参考库存:51019
1N946/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥365.6002
200:¥345.1698
参考库存:51022
JANS1N4126D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
50:¥1,146.9952
参考库存:51025
2EZ30D2/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥11.9102
8,000:¥11.2209
参考库存:51028
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