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分立半导体
STGB5H60DF参考图片

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STGB5H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥8.9157
89.157
100
¥6.8591
685.91
500
¥6.0681
3034.05
1,000
¥4.7912
4791.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB5H60DF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
5 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB5H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥1.9775
100:¥0.82942
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.44522
9,000:¥0.37629
参考库存:14116
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC847CQA/DFN1010D-3/REEL 7" Q2
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
5,000:¥0.26894
参考库存:9934
分立半导体
稳压二极管 Vz @Izt 14.35-15.09V AEC-Q101 Qualified
1:¥2.5312
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
4,500:¥0.35369
9,000:查看
参考库存:9516
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:6875
分立半导体
MOSFET I2C BUS 256Kbit EEPROM
1:¥7.2207
10:¥6.1585
100:¥4.7347
500:¥4.181
2,500:¥2.9267
10,000:查看
参考库存:4298
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