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分立半导体
STGB5H60DF参考图片

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STGB5H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥8.9157
89.157
100
¥6.8591
685.91
500
¥6.0681
3034.05
1,000
¥4.7912
4791.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB5H60DF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
5 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGB5H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP100N10S3-05
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T
1:¥25.5154
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
参考库存:2484
JANTX1N821-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥60.4776
10:¥54.3982
25:¥49.5618
100:¥44.7932
参考库存:2569
ND104N12K
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1200V 160A
1:¥734.8955
5:¥721.3694
10:¥688.9497
25:¥665.9768
参考库存:2336
FS15R06VE3_B2
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥155.2959
10:¥142.7642
25:¥136.8543
100:¥120.5597
参考库存:2386
TD142N16KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1600V 230A
1:¥940.7476
5:¥922.2382
10:¥879.2756
25:¥860.834
参考库存:2344
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