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分立半导体
SPU03N60C3参考图片

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SPU03N60C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 3.2A IPAK-3 CoolMOS C3
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库存:4,552(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6331
663.31
500
¥5.8647
2932.35
1,000
¥4.6217
4621.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
SP000095849 SPU03N60C3BKMA1 SPU3N6C3XK
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,SPU03N60C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 600V 25A REV Leads Std. Recovery
1:¥60.8618
10:¥54.7824
25:¥49.946
100:¥45.1096
参考库存:1508
分立半导体
MOSFET SMD-Small Signal P-Channel Mosfet
1:¥5.537
10:¥4.7686
100:¥3.3109
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:3209
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8817
参考库存:2315
分立半导体
肖特基二极管与整流器 6.0 Amp 30 Volt
1:¥15.5262
10:¥14.0572
100:¥12.1362
500:¥10.8367
1,000:¥10.1474
参考库存:2318
分立半导体
IGBT 晶体管 1250V 20A Shorted Anode IGBT
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:1335
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