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分立半导体
IRFB3206GPBF参考图片

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IRFB3206GPBF

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库存:3,320(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.6733
19.6733
10
¥16.6788
166.788
100
¥13.3679
1336.79
500
¥11.6842
5842.1
1,000
¥9.6841
9684.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
210 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
120 nC
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001565784
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB3206GPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1600 Volt 3000 Amp
1:¥1,510.6744
5:¥1,474.3336
10:¥1,437.6764
25:¥1,417.5398
参考库存:41056
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
1,500:¥4.2488
9,000:¥4.0906
参考库存:41059
分立半导体
整流器 ENHANCED ULTRAFAST POWER DIODE
1:¥7.1416
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.4973
参考库存:41062
分立半导体
MOSFET PTNG 80/20V IN 5X6CLIP
1:¥44.5672
10:¥37.8776
100:¥32.8152
250:¥31.1202
3,000:¥22.3627
参考库存:8394
分立半导体
双向可控硅 600V 8A 33/43V
1:¥19.7524
10:¥15.9104
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:41067
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