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分立半导体
IPI60R199CP参考图片

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IPI60R199CP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 16A I2PAK-3 CoolMOS CP
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库存:2,471(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.3516
26.3516
10
¥22.3627
223.627
100
¥19.436
1943.6
250
¥18.4416
4610.4
500
¥16.5206
8260.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
199 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPI60R199CPXKSA1 IPI6R199CPXK SP000103248
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,IPI60R199CP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 1.5V DRVE PCH MOSFET
1:¥3.616
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
参考库存:9720
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 1A
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.80682
参考库存:8360
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:7563
分立半导体
SCR 100V 25A
1:¥14.9047
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.4524
参考库存:5035
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:22377
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