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分立半导体
IRF3710STRRPBF参考图片

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IRF3710STRRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 86.7nC
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库存：2,190(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.2943
102.943
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.232
3616
800
¥5.989
4791.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
57 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
86.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
47 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001561740
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRF3710STRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N5819UR-1
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥98.197
10:¥88.366
25:¥80.5238
100:¥72.6929
参考库存:4568
2N5210TA
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥2.0001
10:¥1.3334
100:¥0.56048
1,000:¥0.3842
2,000:¥0.29945
参考库存:16528
JAN2N2222AUB
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥125.5543
10:¥114.1074
25:¥105.5759
50:¥99.892
参考库存:2852
JANTX1N4942
Microsemi
分立半导体
整流器 UFR,FRR
1:¥67.009
10:¥60.3194
25:¥54.9406
100:¥49.6409
参考库存:2674
2N3764
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥193.5577
5:¥184.8793
10:¥179.1163
25:¥164.5958
参考库存:2649
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