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分立半导体
CSD17313Q2Q1参考图片

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CSD17313Q2Q1

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存:8,101(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.3844
43.844
100
¥2.8024
280.24
1,000
¥2.2487
2248.7
3,000
¥1.8871
5661.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-FET-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
32 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD17313Q2Q1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
1.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.2 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
单位重量
8.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17313Q2Q1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Nch MOS FET
1:¥7.8422
10:¥6.0681
100:¥5.3223
500:¥4.7573
1,000:¥3.1414
3,000:¥3.1414
参考库存:6906
分立半导体
整流器 1300 Volt 1.0 Amp 25 Amp IFSM
1:¥3.7629
10:¥2.1809
100:¥1.2769
500:¥1.03734
3,000:¥0.69156
6,000:查看
参考库存:18305
分立半导体
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in I2PAK package
1:¥16.2155
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
1,000:¥7.9891
参考库存:4888
分立半导体
MOSFET DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
1:¥114.3334
10:¥103.8922
25:¥96.1291
50:¥90.9763
参考库存:3972
分立半导体
MOSFET NFET DPAK 40V SPCL
1:¥8.2264
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.7347
2,500:¥3.3109
10,000:查看
参考库存:6414
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