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分立半导体
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CSD17507Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET
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库存：7,412(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.537
55.37
100
¥3.5708
357.08
1,000
¥2.8589
2858.9
2,500
¥2.5877
6469.25
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
16.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
2.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17507Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
16 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，CSD17507Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F12-25R12KT4G
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 1200V 25A
1:¥748.4216
5:¥734.6695
10:¥701.6283
25:¥678.2712
参考库存:4125
FP50R12KT4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
1:¥797.7574
5:¥783.0787
10:¥747.8792
25:¥722.9062
参考库存:4117
APT38F50J
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥198.4732
5:¥189.5688
10:¥183.6476
25:¥168.7429
参考库存:4131
IPA65R065C7
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥56.2514
10:¥50.7935
25:¥48.4883
100:¥42.1038
参考库存:4604
B485F-2
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 DIODE MODULE 480VAC 50ADC 1200VP
1:¥362.843
10:¥345.554
25:¥337.7118
50:¥329.8018
参考库存:4117
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