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分立半导体
CSD17507Q5A参考图片

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CSD17507Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET
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库存:7,412(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.537
55.37
100
¥3.5708
357.08
1,000
¥2.8589
2858.9
2,500
¥2.5877
6469.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
16.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
2.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17507Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
16 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,CSD17507Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥289.2235
5:¥286.229
10:¥266.7139
25:¥254.8037
参考库存:3008
分立半导体
SCR 35A If; 1200V Vr TO-247AD 3L; Std Igt
1:¥42.4202
10:¥35.1882
100:¥28.9732
250:¥28.0466
500:¥25.199
参考库存:3444
分立半导体
稳压二极管 4.94-5.2V 500mW SOD-323HE 20mA
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:6924
分立半导体
SCR 16A High Temp Thyristor
1:¥16.8257
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
参考库存:3578
分立半导体
肖特基二极管与整流器 REC DPAK SPECIAL SHTKY
1:¥7.1416
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
参考库存:4155
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