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分立半导体
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STP4NK50ZD

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库存:5,427(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.3734
10.3734
10
¥8.8366
88.366
100
¥6.78
678
500
¥5.989
2994.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP4NK50ZD
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.5 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP4NK50ZD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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6,000:¥7.8422
9,000:¥7.2659
参考库存:23673
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