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分立半导体
R6046FNZC8参考图片

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R6046FNZC8

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET SILICON N-CHANNEL MOSFET; 600V
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数量单价合计
1
¥130.402
130.402
10
¥119.8704
1198.704
25
¥114.8758
2871.895
100
¥101.2706
10127.06
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
46 A
Rds On-漏源导通电阻
93 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
150 nC
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
封装
Bulk
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
360
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
230 ns
典型接通延迟时间
77 ns
零件号别名
R6046FNZ
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,R6046FNZC8的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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