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分立半导体
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IKW40N65H5AXKSA1

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数量单价合计
1
¥51.9461
51.9461
10
¥46.9515
469.515
25
¥44.7254
1118.135
100
¥38.8042
3880.42
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.66 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
74 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N65H5A SP001187512
商品其它信息
优势价格，IKW40N65H5AXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3637L/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥90.8294
200:¥82.829
500:¥77.4502
1,000:¥71.077
参考库存:32369
JANTX1N6328US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥140.007
200:¥128.481
500:¥122.2547
参考库存:32372
CDLL6332/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥102.5814
200:¥93.5188
500:¥87.5185
1,000:¥80.2978
参考库存:32375
JAN1N4970C
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥107.4969
250:¥98.0501
500:¥91.7447
1,000:¥84.1398
参考库存:32378
JAN1N4615CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥122.1756
200:¥111.418
500:¥104.1973
参考库存:32381
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