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分立半导体
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EM6K1T2R

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库存:3,579(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.0397
30.397
100
¥1.6498
164.98
1,000
¥1.2317
1231.7
8,000
¥0.99892
7991.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 mA
Rds On-漏源导通电阻
7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.5 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
EM6K1
晶体管类型
2 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.2 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
EM6K1
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,EM6K1T2R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 600V 25A REV Leads Std. Recovery
1:¥60.8618
10:¥54.7824
25:¥49.946
100:¥45.1096
参考库存:1508
分立半导体
MOSFET SMD-Small Signal P-Channel Mosfet
1:¥5.537
10:¥4.7686
100:¥3.3109
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:3209
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8817
参考库存:2315
分立半导体
肖特基二极管与整流器 6.0 Amp 30 Volt
1:¥15.5262
10:¥14.0572
100:¥12.1362
500:¥10.8367
1,000:¥10.1474
参考库存:2318
分立半导体
IGBT 晶体管 1250V 20A Shorted Anode IGBT
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:1335
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