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分立半导体
IPP60R099C6参考图片

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IPP60R099C6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
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数量单价合计
1
¥45.0305
45.0305
10
¥38.2618
382.618
100
¥33.1994
3319.94
250
¥31.4253
7856.325
500
¥28.2048
14102.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
37.9 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
119 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPP60R099C6XKSA1 IPP6R99C6XK SP000687556
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP60R099C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N5819UR-1
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1:¥98.197
10:¥88.366
25:¥80.5238
100:¥72.6929
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2N5210TA
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1:¥2.0001
10:¥1.3334
100:¥0.56048
1,000:¥0.3842
2,000:¥0.29945
参考库存:16528
JAN2N2222AUB
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥125.5543
10:¥114.1074
25:¥105.5759
50:¥99.892
参考库存:2852
JANTX1N4942
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1:¥67.009
10:¥60.3194
25:¥54.9406
100:¥49.6409
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2N3764
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1:¥193.5577
5:¥184.8793
10:¥179.1163
25:¥164.5958
参考库存:2649
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