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分立半导体
IRGPS60B120KDP参考图片

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IRGPS60B120KDP

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
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数量单价合计
1
¥164.5958
164.5958
5
¥162.9008
814.504
10
¥151.8381
1518.381
25
¥145.0016
3625.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-274-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.33 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
Pd-功率耗散
595 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
120 A
高度
20.3 mm
长度
15.6 mm
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
25
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001540752
单位重量
6.350 g
商品其它信息
优势价格,IRGPS60B120KDP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
3,000:¥6.4071
6,000:¥6.1811
9,000:¥5.7065
参考库存:33500
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肖特基二极管与整流器 2500V
10,000:¥0.23843
参考库存:33503
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥168.8898
250:¥154.9908
500:¥147.5328
参考库存:33506
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
50:¥1,302.9013
参考库存:33509
分立半导体
肖特基二极管与整流器
12,000:¥0.2147
24,000:¥0.20792
参考库存:33512
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