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分立半导体
IRGPS60B120KDP参考图片

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IRGPS60B120KDP

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
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数量单价合计
1
¥164.5958
164.5958
5
¥162.9008
814.504
10
¥151.8381
1518.381
25
¥145.0016
3625.04
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-274-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.33 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
Pd-功率耗散
595 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
120 A
高度
20.3 mm
长度
15.6 mm
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
25
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001540752
单位重量
6.350 g
商品其它信息
优势价格，IRGPS60B120KDP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SB1216S-TL-E
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 4A 100V
1:¥6.0681
10:¥5.0172
100:¥3.2318
700:¥2.5877
参考库存:4656
S1PJ-M3/84A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 600volt 1.0amp
1:¥3.4578
10:¥1.9323
100:¥1.03734
500:¥0.82942
3,000:¥0.53788
6,000:查看
参考库存:14525
BZX79C16-T50A
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
稳压二极管 16V 0.5W Zener
1:¥1.1526
10:¥0.9831
100:¥0.34578
1,000:¥0.23052
5,000:¥0.17628
参考库存:16993
DDTC143EE-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 150mW
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:8221
SDTA114YET1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SC-75 BIAS RESISTOR TRANS
1:¥3.1527
10:¥2.147
100:¥0.92208
1,000:¥0.61472
3,000:¥0.53788
参考库存:5824
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