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分立半导体
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IRGIB15B60KD1P

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数量单价合计
1
¥30.5778
30.5778
10
¥25.9674
259.674
100
¥22.5096
2250.96
250
¥21.357
5339.25
500
¥19.21
9605
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
19 A
Pd-功率耗散
52 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
9.02 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001537730
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，IRGIB15B60KD1P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CZRB3082-G
Comchip Technology
分立半导体
稳压二极管 ZENER 3W 82V
1:¥4.3053
10:¥3.1527
100:¥2.147
1,000:¥1.4916
3,000:¥1.2656
参考库存:23619
BZV55B68 L0G
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分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 68v
1:¥1.6159
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100:¥0.81473
1,000:¥0.29945
10,000:¥0.23052
20,000:查看
参考库存:23622
BZV55B47 L0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 47v
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.81473
1,000:¥0.29945
10,000:¥0.23052
20,000:查看
参考库存:23625
BZT55B4V3 L1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 4v3
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.83733
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.29945
参考库存:23628
BZT55B3V9 L1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 3v9
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.83733
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.29945
参考库存:23631
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