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分立半导体
STGW30H60DF参考图片

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STGW30H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:2,501(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8994
218.994
100
¥18.984
1898.4
250
¥18.0574
4514.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30H60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,STGW30H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 RECTIFIER DIODE SMD 1000VOLT
1:¥3.3787
10:¥2.2148
100:¥1.4916
500:¥1.2317
3,000:¥0.7684
9,000:查看
参考库存:11494
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80 V, 1 A NPN medium power transistors
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.54579
参考库存:15286
分立半导体
桥式整流器 GBPC GPP 50A 1000V Rect. Bridge Diode
1:¥26.894
10:¥21.6734
100:¥19.7524
250:¥17.8314
参考库存:4699
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 4A 40V
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
参考库存:5848
分立半导体
整流器 100V 1A Fast
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
5,000:¥0.26894
参考库存:21586
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