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分立半导体
STGW30H60DF参考图片

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STGW30H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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库存：2,501(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8994
218.994
100
¥18.984
1898.4
250
¥18.0574
4514.35
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30H60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格，STGW30H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N6339
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥91.2136
250:¥83.1454
500:¥77.7666
1,000:¥71.3821
参考库存:32657
1N1348C
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
100:¥214.3045
250:¥196.7104
参考库存:32660
JANTX1N4617D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥115.3391
200:¥105.1917
500:¥98.3552
1,000:¥90.2079
参考库存:32663
JANTXV1N4492
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥168.8898
250:¥154.9908
500:¥147.5328
参考库存:32666
1N5341/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥14.1363
6,000:¥12.9837
参考库存:32669
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