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分立半导体
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IKW50N65H5AXKSA1

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数量单价合计
1
¥58.6244
58.6244
10
¥52.9405
529.405
25
¥50.4884
1262.21
100
¥43.8779
4387.79
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.66 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N65H5A SP001187522
商品其它信息
优势价格,IKW50N65H5AXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 75 Volt 0.15 Amp 2.0A IFSM @ 1uS
1:¥1.695
10:¥1.1639
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20,000:查看
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1:¥2.9945
10:¥2.0566
100:¥0.86106
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20,000:查看
参考库存:18767
分立半导体
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1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:4381
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