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分立半导体
IPB60R099C6参考图片

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IPB60R099C6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6
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库存:2,716(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.0305
45.0305
10
¥38.2618
382.618
100
¥33.1994
3319.94
250
¥31.4253
7856.325
1,000
¥23.8204
23820.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
37.9 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
119 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPB60R099C6ATMA1 IPB6R99C6XT SP000687468
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB60R099C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 16A,35V,TO-263AB AEC-Q101 Qualified
1:¥12.0684
10:¥9.9101
100:¥7.6501
500:¥6.5766
800:¥5.1867
参考库存:25335
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥642.9926
参考库存:25338
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:25341
分立半导体
SCR模块 600 Volt 500 Amp
1:¥515.054
5:¥505.6072
10:¥484.7022
25:¥469.5715
参考库存:25344
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8
1:¥13.673
10:¥11.6051
100:¥9.2999
500:¥8.1473
5,000:¥6.0681
10,000:查看
参考库存:25347
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