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分立半导体
IRG4PH20KPBF参考图片

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IRG4PH20KPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz
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库存:1,475(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5097
24.5097
10
¥20.8259
208.259
100
¥18.0574
1805.74
250
¥17.1308
4282.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.17 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
11 A
Pd-功率耗散
60 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001540532
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PH20KPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -80Vceo
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:6775
分立半导体
稳压二极管 300mW 5.6V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:72161
分立半导体
MOSFET CONSUMER
1:¥8.4524
10:¥7.232
100:¥5.5483
500:¥4.9155
1,000:¥3.8759
参考库存:9494
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x5A
1:¥86.5241
100:¥72.0714
500:¥61.7771
1,000:¥54.0931
参考库存:5178
分立半导体
MOSFET 100V N ch MOSFET
1:¥34.4198
10:¥30.962
100:¥25.3572
250:¥23.7413
500:¥21.5943
参考库存:3227
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