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分立半导体
IPP052N06L3GXKSA1参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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IPP052N06L3GXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:5,047(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
115 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
58 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
G IPP052N06L3 IPP52N6L3GXK SP000680802
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP052N06L3GXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A, 200V, GP FR SMD RECTIFIER
15,000:¥0.52997
22,500:¥0.47686
45,000:¥0.42262
97,500:¥0.39211
参考库存:25625
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,20V, DUAL SCHOTTKY RECTIFIER ISOLATED
2,000:¥3.5369
4,000:¥3.3674
参考库存:25628
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky 150mW
20,000:¥0.39211
24,000:¥0.36838
48,000:¥0.34578
100,000:¥0.30736
参考库存:25631
分立半导体
整流器 4A, 200V, HIGH EFFICIENT RECTIFIER
2,500:¥2.1809
参考库存:25634
分立半导体
稳压二极管 1W, 15V, ZENER
7,500:¥0.9605
22,500:¥0.89948
45,000:¥0.80682
参考库存:25637
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