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分立半导体
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FDB082N15A

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库存：5,627(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.5781
36.5781
10
¥31.1202
311.202
100
¥26.9731
2697.31
250
¥25.5832
6395.8
500
¥22.8938
11446.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
105 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64.5 nC
Pd-功率耗散
231 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB082N15A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
139 S
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
单位重量
1.300 g
商品其它信息
优势价格，FDB082N15A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-ST330C16L0L
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - B-PUK
1:¥1,126.3162
5:¥1,104.1908
10:¥1,052.708
25:¥1,030.5826
参考库存:27662
FEPB16BTHE3/81
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 16A 100V 35ns Dual 200 Amp IFSM
1:¥12.7577
10:¥10.5994
100:¥8.2264
500:¥7.1868
800:¥5.9664
参考库存:27665
STI42N65M5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET NCH 65V 33A MDMESH V
1:¥84.4449
10:¥76.2976
25:¥72.772
100:¥63.167
参考库存:27668
STGW35HF60WD
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 35 A 600 V Ultra fast IGBT
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.905
参考库存:6123
T3401N36TOF
Infineon Technologies
分立半导体
SCR模块 NETZ-THYRISTOR PHASE CONTROL
1:¥17,904.3302
5:¥17,618.0334
参考库存:27673
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