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分立半导体
STP18N60DM2参考图片

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STP18N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
10
¥15.8313
158.313
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.0627
5531.35
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
STP18N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
32.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
13.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP18N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NZX24A,133
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 23.45V 2% 500mW 2pin
10,000:¥0.2147
20,000:¥0.1921
50,000:¥0.17628
100,000:¥0.14577
参考库存:23792
BYC15-600PQ
WeEn Semiconductors
分立半导体
整流器 Hyperfast pwr diode
5,000:¥3.3787
10,000:¥3.2544
25,000:¥3.1527
参考库存:23795
PDTC143ZMB,315
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PDTC143ZMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
10,000:¥0.35369
20,000:¥0.33787
50,000:¥0.31527
100,000:¥0.27685
参考库存:23798
BCV63B,215
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
3,000:¥1.2882
9,000:¥1.2091
24,000:¥1.1413
45,000:¥1.11418
参考库存:23801
SBR3040CTFP
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A 40V
50:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
参考库存:23804
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