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分立半导体
BSC067N06LS3GATMA1参考图片

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BSC067N06LS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:27,141(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.7348
673.48
500
¥5.9551
2977.55
1,000
¥4.7008
4700.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
67 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
BSC067N06LS3 BSC67N6LS3GXT G SP000451084
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSC067N06LS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.43844
6,000:¥0.43844
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
45,000:¥0.28476
参考库存:36400
分立半导体
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥315.9706
5:¥305.3599
10:¥295.4498
25:¥273.2453
参考库存:1463
分立半导体
IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A
1:¥57.9351
10:¥52.3303
25:¥49.8669
100:¥43.3355
参考库存:1567
分立半导体
整流器 Freds - TO-247-e3
1:¥27.3573
10:¥22.6678
100:¥18.6676
250:¥18.0574
500:¥16.2155
参考库存:1692
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 47V 2% 550mW 2-Pin
1:¥2.8476
10:¥1.808
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:13106
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