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分立半导体
IRF100S201参考图片

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IRF100S201

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
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库存:8,728(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥18.3625
183.625
100
¥15.9104
1591.04
250
¥15.0629
3765.725
800
¥11.3678
9094.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
192 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
170 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
441 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
278 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
97 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001550868
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRF100S201的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:9989
分立半导体
MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET
1:¥8.9948
10:¥7.6501
100:¥5.876
500:¥5.198
1,000:¥4.1019
参考库存:5536
分立半导体
桥式整流器 12A Bridge Rectifier
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.7523
250:¥16.8257
500:¥15.0629
参考库存:4739
分立半导体
肖特基二极管与整流器 400MW 40V
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:8366
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:17297
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