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分立半导体
SPP17N80C3XKSA1参考图片

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SPP17N80C3XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
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库存:2,366(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.883
32.883
10
¥27.8884
278.884
100
¥24.2046
2420.46
250
¥22.9729
5743.225
500
¥20.5886
10294.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP000683164 SPP17N80C3 SPP17N8C3XK
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SPP17N80C3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥445.5929
参考库存:24919
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整流器 Ultra Fast Rectifier (less than 100ns)
1:¥172.5849
5:¥164.8218
10:¥159.669
25:¥146.7644
参考库存:24922
分立半导体
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12:¥851.003
36:¥833.1038
60:¥821.2614
108:¥791.452
参考库存:24925
分立半导体
MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp
1:¥10.8367
10:¥8.9157
100:¥6.8365
500:¥5.876
3,000:¥5.876
参考库存:24928
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,552.0824
25:¥2,517.1202
参考库存:24931
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