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分立半导体
SISS32DN-T1-GE3参考图片

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SISS32DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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库存:8,103(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.2942
82.942
100
¥6.3732
637.32
500
¥5.4805
2740.25
3,000
¥4.0341
12102.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
63 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
65.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格,SISS32DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥2.4069
25,000:¥2.3052
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1:¥7.6049
10:¥6.2602
100:¥5.2093
500:¥4.0228
3,000:¥3.2205
9,000:查看
参考库存:31714
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