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分立半导体
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IPL60R180P6

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数量单价合计
1
¥23.1311
23.1311
10
¥19.6733
196.733
100
¥16.9839
1698.39
250
¥16.1364
4034.1
3,000
¥11.6051
34815.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ThinPAK-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
22.4 A
Rds On-漏源导通电阻
162 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
176 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
8 mm
系列
CoolMOS P6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
8 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5.8 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
7.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
12.5 ns
零件号别名
IPL60R180P6AUMA1 SP001017098
单位重量
191.600 mg
商品其它信息
优势价格，IPL60R180P6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTC144WCA-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K 22K
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:5956
BZT52C20T-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 100mW 20V
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
1,000:¥0.43053
8,000:¥0.27685
24,000:查看
参考库存:4763
UDZVFHTE-1739B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 38.02-39.98V 2mA SOD-323FL; UMD2
1:¥2.147
10:¥1.5029
100:¥0.62263
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.33787
参考库存:8806
TGF3021-SM
Qorvo
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TGF3021-SM, 25W CW DC-3GHz 32V GaN Trans
1:¥1,046.8659
25:¥905.4012
100:¥783.0787
参考库存:2888
D5SB80-7000
Shindengen
分立半导体
桥式整流器 VRM=800 IFSM=170
1:¥18.8258
10:¥16.2155
100:¥14.5205
250:¥13.6052
参考库存:2937
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