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分立半导体
SQ3425EV-T1_GE3参考图片

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SQ3425EV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:14,734(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.9606
296.06
500
¥2.4408
1220.4
1,000
¥1.8871
1887.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7.4 A
Rds On-漏源导通电阻
49 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
10.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,SQ3425EV-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
5,000:¥1.7628
参考库存:5362
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:7685
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5314
500:¥5.7743
1,000:¥4.5539
参考库存:5591
分立半导体
MOSFET MOSFET,P-CHANNEL 60V, -3.4A/-2.8A
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.7007
参考库存:6400
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPLEX DISCRETE S2022D/SOT45
1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.73789
参考库存:12469
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