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分立半导体
PSMN5R0-30YL,115参考图片

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PSMN5R0-30YL,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET <=30V N CH TRENCHFET
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0228
40.228
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.8984
1898.4
1,500
¥1.8984
2847.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LFPAK56-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
91 A
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
61 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.1 mm
商标
Nexperia
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
PSMN5R0-30YL T/R
单位重量
140 mg
商品其它信息
优势价格，PSMN5R0-30YL,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSP19,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.9211
10:¥3.277
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
2,000:¥1.3221
参考库存:9002
T2G6001528-Q3
Qorvo
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
1:¥812.583
25:¥733.3587
100:¥661.8184
参考库存:2194
TK4A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA
1:¥11.0627
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:查看
参考库存:2320
U309
InterFET
分立半导体
JFET JFET N-Channel -25V 20mA 500mW 4mW
1:¥84.8291
10:¥71.303
100:¥65.6191
250:¥59.8561
参考库存:2391
STL73
STMicroelectronics
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR
1:¥5.0737
10:¥4.2488
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
参考库存:6994
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