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分立半导体
DMG1016UDW-7参考图片

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DMG1016UDW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
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库存:77,677(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.066 A, 845 mA
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms, 750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
736.6 nC, 622.4 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
330 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMG1016
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12.3 ns, 20.72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.4 ns, 8.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.7 ns, 28.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns, 5.1 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,DMG1016UDW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 47V 1W
10,000:¥0.66896
24,000:¥0.61472
50,000:¥0.59212
100,000:¥0.56839
参考库存:26992
分立半导体
桥式整流器 10 Amp 600 Volt 200 Amp IFSM
1,200:¥5.3901
3,600:¥4.8816
6,000:¥4.7799
10,800:¥4.3844
参考库存:26995
分立半导体
MOSFET 60V N channel MOSFET
5,000:¥1.9549
10,000:¥1.9323
25,000:¥1.8871
参考库存:26998
分立半导体
整流器 200V 15A REV Leads Std. Recovery
300:¥56.4774
500:¥51.5619
1,000:¥44.8723
参考库存:27001
分立半导体
MOSFET High Switching Speed
3,000:¥3.8985
9,000:¥3.6612
24,000:¥3.1753
参考库存:27004
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