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分立半导体
SI7232DN-T1-GE3参考图片

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SI7232DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:13,059(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.6387
56.387
100
¥4.2827
428.27
500
¥3.5369
1768.45
3,000
¥3.5369
10610.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
16.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
23 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SI7
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SI7232DN-GE3
商品其它信息
优势价格,SI7232DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥289.2235
5:¥286.229
10:¥266.7139
25:¥254.8037
参考库存:3008
分立半导体
SCR 35A If; 1200V Vr TO-247AD 3L; Std Igt
1:¥42.4202
10:¥35.1882
100:¥28.9732
250:¥28.0466
500:¥25.199
参考库存:3444
分立半导体
稳压二极管 4.94-5.2V 500mW SOD-323HE 20mA
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:6924
分立半导体
SCR 16A High Temp Thyristor
1:¥16.8257
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
参考库存:3578
分立半导体
肖特基二极管与整流器 REC DPAK SPECIAL SHTKY
1:¥7.1416
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
参考库存:4155
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