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分立半导体
SIB912DK-T1-GE3参考图片

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SIB912DK-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
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库存:8,466(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8307
38.307
100
¥2.8702
287.02
500
¥2.1018
1050.9
3,000
¥1.4351
4305.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC75-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
216 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
1.6 mm
系列
SIB
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
SIB912DK-GE3
单位重量
96 mg
商品其它信息
优势价格,SIB912DK-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 600V 6A REV Leads Fast Recovery
500:¥36.8832
1,000:¥32.1146
2,500:¥30.8942
参考库存:26121
分立半导体
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15,000:¥0.79891
22,500:¥0.72207
45,000:¥0.63732
97,500:¥0.5989
参考库存:26124
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,20V, DUAL SCHOTTKY RECTIFIER ISOLATED
2,000:¥2.9606
4,000:¥2.825
参考库存:26127
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor NPN
1,400:¥4.2601
2,800:¥3.7855
10,150:¥3.6386
25,200:¥3.5256
参考库存:53795
分立半导体
整流器 1.5A, 800V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
3,600:¥0.72998
9,000:¥0.56839
23,400:¥0.51528
48,600:¥0.46104
99,000:¥0.43053
参考库存:26132
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