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分立半导体
SI4599DY-T1-GE3参考图片

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SI4599DY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
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数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.6387
56.387
100
¥4.2827
428.27
500
¥3.5369
1768.45
1,000
¥2.9493
2949.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
5.8 A, 6.8 A
Rds On-漏源导通电阻
35.5 mOhms, 45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V, 1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11.7 nC, 25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W, 3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SI4
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
14 S, 22 S
下降时间
9 ns, 9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns, 12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 7 ns
零件号别名
SI4599DY-GE3
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,SI4599DY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Hi Conductance Fast
1:¥0.7684
10:¥0.46104
100:¥0.16159
1,000:¥0.10735
10,000:¥0.07684
20,000:查看
参考库存:41775
分立半导体
PIN 二极管 50V 50mA Single
1:¥2.4634
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:9857
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥3.4578
10:¥2.8137
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
参考库存:3008
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 60V/1.3A LOADSWITCH IN SOT457
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:4258
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:4470
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