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分立半导体
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CGHV1F006S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
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数量单价合计
1
¥343.859
343.859
250
¥343.859
85964.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
950 mA
输出功率
6 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
-
配置
Single
工作频率
18 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
湿度敏感性
Yes
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGHV1F006S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 250V N-Channel MOSFET
1:¥13.447
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥8.0682
1,000:¥6.6331
参考库存:11898
分立半导体
变容二极管 Rev. Voltage 30V Pwr Dis. 250mW
1:¥18.2834
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
3,000:¥7.7631
6,000:查看
参考库存:5467
分立半导体
MOSFET 100V 3Ohm
1:¥6.8365
10:¥6.78
25:¥5.7065
100:¥5.1415
参考库存:9914
分立半导体
JFET JFET P-Channel -40V 50mA 500mW 3mW
1:¥94.2872
10:¥77.3033
100:¥64.1614
500:¥58.4775
参考库存:4783
分立半导体
桥式整流器 1.5A Bridge
1:¥3.842
10:¥3.1527
100:¥1.921
1,000:¥1.4916
5,000:¥1.2656
参考库存:11773
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