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分立半导体
NTMFS6H800NT1G参考图片

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NTMFS6H800NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
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数量单价合计
1
¥43.8779
43.8779
10
¥37.3465
373.465
100
¥32.3519
3235.19
250
¥30.6569
7664.225
1,500
¥22.0576
33086.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8FL
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
203 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
138 S
下降时间
85 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
89 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
97 ns
典型接通延迟时间
25 ns
商品其它信息
优势价格,NTMFS6H800NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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整流器 1A, 100V, SUPER FAST SM RECTIFIER
20,000:¥0.5537
50,000:¥0.49155
100,000:¥0.45313
参考库存:18893
分立半导体
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10,000:¥1.5707
20,000:¥1.5142
参考库存:18896
分立半导体
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5,000:¥2.5312
10,000:¥2.4973
25,000:¥2.4408
参考库存:18899
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