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分立半导体
IKQ40N120CT2XKSA1参考图片

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IKQ40N120CT2XKSA1

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数量单价合计
1
¥81.0662
81.0662
10
¥73.3031
733.031
25
¥69.9244
1748.11
100
¥60.7036
6070.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
封装 / 箱体
TO247-3-46
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IKQ40N120CT2 SP001272732
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DSB5820
Microsemi
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100:¥114.0283
250:¥104.1182
500:¥93.6657
1,000:¥86.9083
参考库存:36242
1N6030UR
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264:¥26.9731
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1,000:¥20.2835
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参考库存:36245
1N6486
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分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
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250:¥82.1397
500:¥76.9191
1,000:¥68.6136
参考库存:36248
SSM3K121TU(TE85L)
Toshiba
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MOSFET Vds=20V Id=3.2A 3Pin
暂无价格
参考库存:36251
1N4693UR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
186:¥38.2618
250:¥35.1882
500:¥32.0468
1,000:¥27.9675
参考库存:36254
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